DISCO SSD SAMSUNG 980 PRO 250GB/ M.2 2280 PCIE

Descripción del producto

Rendimiento SSD de primer nivelDa rienda suelta a la potencia del Samsung PCIe 4.0 NVMe™ SSD 980 PRO para un funcionamiento de siguiente nivel. Aprovechando la interfaz PCIe 4.0, el 980 PRO ofrece el doble de velocidad de transferencia de datos que PCIe 3.0 y, al mismo tiempo, es compatible con PCIe 3.0 para una mayor versatilidad.Velocidad mximaAlimentado por el controlador Elpis personalizado de Samsung para SSD PCIe 4.0, el 980 PRO est optimizado para la velocidad. Ofrece velocidades de lectura de hasta 7.000 MB / s, lo que le hace 2 veces ms rpido que los SSD PCIe 3.0 y 12,7 veces ms rpido que los SSD SATA. El 980 PRO alcanza velocidades mximas en PCIe 4.0 y puede variar en otros entornos.Una combinacin ganadoraDiseado pensando en los jugadores incondicionales y los usuarios expertos en tecnologa, el 980 PRO ofrece un ancho de banda y un rendimiento muy alto para aplicaciones de alta resistencia en juegos, grficos, anlisis de datos y ms. Es rpido para cargar juegos; podrs jugar ms y esperar menos.SSD M.2 eficienteEl 980 PRO tiene un factor de forma compacto M.2 2280, que se puede conectar fcilmente a ordenadores de escritorio y porttiles para la mxima flexibilidad. La unidad es adecuada para la construccin de sistemas informticos de alto rendimiento debido a su eficiencia energtica optimizada.Control trmico de confianzaLos SSD de alto rendimiento suelen requerir un control trmico de alto rendimiento. Para garantizar un rendimiento estable, el 980 PRO utiliza un recubrimiento de nquel para ayudar a administrar la temperatura del controlador y una etiqueta de esparcidor de calor para brindar un control trmico efectivo del chip NAND.
Caractersticas generalesAplicacinCliente PCsCapacidad250GB (1GB=mil millones de bytes por IDEMA) *La capacidad actual puede ser menor dependiendo del sistema operativo, aplicaciones u otros motivos.FormatoM.2 (2280)InterfazPCIe Gen 4.0 x4, NVMe™ 1.3cDimensiones80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)PesoMx 9.0 g de pesoMemoria de almacenamientoSamsung V-NAND 3-bit MLCControladorSamsung Elpis ControllerMemoria cachSamsung 512MB Low Power DDR4 SDRAMCaractersticas especialesSoporte TRIMIncluidoSoporte S.M.A.R.TIncluidoGC (Garbage Collection)Auto Garbage Collection AlgorithmEncriptacinEncriptacin AES 256-bitWWNNo incluidoSoporte Modo Suspensin en dispositivoSRendimientoLectura secuencialHasta 6,400 MB/s *El rendimiento puede variar segn el hardware y la configuracin del sistemaEscritura secuencialHasta 2,700 MB/s *El rendimiento puede variar segn el hardware y la configuracin del sistemaLectura aleatoria (4KB, QD32)Hasta 500,000 IOPS *El rendimiento puede variar segn el hardware y la configuracin del sistemaEscritura aleatoria (4KB, QD32)Hasta 600,000 IOPS *El rendimiento puede variar segn el hardware y la configuracin del sistemaLectura aleatoria (4KB, QD1)Hasta 22,000 IOPS *El rendimiento puede variar segn el hardware y la configuracin del sistemaEscritura aleatoria (4KB, QD1)Hasta 60,000 IOPS *El rendimiento puede variar segn el hardware y la configuracin del sistemaEntornoConsumo energtico medio* Media: 5 W * Mximo: 7 W *El consumo de energa real puede variar segn el hardware y la configuracin del sistemaConsumo energtico (Idle)Mx 35 mW* El consumo de energa real puede variar segn el hardware y la configuracin del sistemaVoltaje soportado3.3 V 5 % voltaje permitidoDurabilidad (MTBF)1.5 millones de horasTemperatura0 - 70 ℃ Temperatura de funcionamiento