DISCO SSD SAMSUNG 990 EVO PLUS 4TB/ M.2 2280 PCIE GEN5/ COMPATIBLE CON PS5 Y PC/ FULL CAPACITY

Descripción del producto

SSD Interno 990 EVO PlusVelocidad de lectura secuencial hasta 7,150MB/s. PCIe 4.0x4/PCIe 5.0x2, NVMe M.2.Mejor eficiencia energtica, menor consumo en ordenadores porttiles.Rendimiento mejorado para uso personal, almacenaje de fotos, vdeos y gaming, y para uso profesional.RendimientoHasta 7.250 MB/s de velocidad de lectura secuencial, un 45% ms rpido que el modelo anterior.Eficiencia energticaEficiencia energtica mejorada en un 73% para obtener ms MB/s por vatio, manteniendo el rendimiento y el control trmico.VersatilidadHasta 4 TB de capacidad ampliada y rpido.Velocidad espectacular cada daRealiza tus tareas ms rpido. La 990 EVO Plus con la ltima NAND ofrece velocidades de lectura/escritura secuencial mejoradas de hasta 7.250/6.300 MB/s. Archivos enormes, transferencia instantnea.Potencia para todo el daAprovecha toda la potencia de tu unidad con la funcin Intelligent TurboWrite 2.0 mejorada. Procesa datos masivos con mayor rapidez y agiliza los grficos pesados con una regin TurboWrite ampliada, ahora disponible en 4 TB de capacidad.Ms espacio y velocidadAprovecha toda la potencia de tu unidad con la funcin Intelligent TurboWrite 2.0 mejorada. Procesa datos masivos con mayor rapidez y agiliza los grficos pesados con una regin TurboWrite ampliada, ahora disponible en 4 TB de capacidad.Software Samsung MagicianHaz que tu SSD funcione como por arte de magia. Las herramientas de optimizacin del software Samsung Magician garantizan el mejor rendimiento del SSD. Es una forma fcil y segura de migrar todos tus datos para actualizar tu SSD Samsung. Protege los datos valiosos, controla la salud de la unidad y obtn las ltimas actualizaciones de firmware.Haciendo realidad las innovacionesDurante dcadas, la memoria flash NAND de Samsung ha impulsado tecnologas revolucionarias que han cambiado todos los aspectos de nuestra vida cotidiana. Esta tecnologa flash NAND tambin impulsa nuestras unidades SSD de consumo, dejando espacio para el prximo gran impulso de la innovacin.Especificaciones
AlmacenamientoCapacidad: 4 TBFormato: M.2 2280Interfaz: PCI Express 4.0 x4 / PCI Express 5.0 x2 NVMe 2.0Controlador: Controlador interno SamsungTipo de memoria: V-NAND TLCCach: HMB (Host Memory Buffer)Velocidad de lectura: Hasta 7250 MB/sVelocidad de escritura: Hasta 6300 MB/sIOPS lectura 4K: Hasta 1050000IOPS escritura 4K: Hasta 1400000Tecnologas: TRIM, S.M.A.R.T., Garbage Collection, cifrado AES de 256 bits, TCG Opal, IEEE1667Compatibilidad: PCs clienteCompatibilidad suspensin: CompatibleWWN: No compatibleMTBF: 1500000 horas
Consumo energticoConsumo en lectura: 5.5 WConsumo en escritura: 4.8 WConsumo en reposo: 60 mWConsumo en suspensin: 5 mWVoltaje: 3.3 V 5%
Condiciones de funcionamientoTemperatura de funcionamiento: 0 C a 70 CResistencia a golpes: 1500 G
DiseoDimensiones: Hasta 80.15 x 22.15 x 2.38 mmPeso: Hasta 9 g
SoftwareSoftware de gestin: Samsung Magician