DISCO SSD SAMSUNG 970 EVO PLUS 1TB/ M.2 2280 PCIE

Descripción del producto

Un SSD en constante evolucinLo ltimo en rendimiento, mejorado. Ms rpido que el 970 EVO, 970 EVO Plus funciona con la ltima tecnologa V-NAND y optimizacin de firmware. Maximiza el potencial del ancho de banda NVMe™ para una configuracin inmejorable. En capacidades de hasta 2TB, con una fiabilidad de hasta 1200 TBW.Rendimiento a un nuevo nivelEl 970 EVO Plus alcanza velocidades secuenciales de lectura y escritura de hasta 3,500/3.300 MB/s, hasta un 53% ms rpido que el 970 EVO. El ltimo V-NAND brinda un mayor rendimiento NAND y una mayor eficiencia energtica, junto con un firmware optimizado, un controlador Phoenix probado y un TurboWrite boost inteligente.Flexibilidad del diseoUn nuevo avance en NVMe™ SSD. El 970 EVO Plus almacena hasta 2TB en el factor de forma compacto M.2 (2280), ampliando enormemente la capacidad de almacenamiento y ahorrando espacio para otros componentes. La tecnologa innovadora de Samsung te brinda la capacidad de hacer ms y llegar ms lejos.Resistencia excepcionalEl nuevo estndar en rendimiento sostenible. Obtn hasta 1200 TBW con una garanta limitada de 5 aos para un rendimiento duradero. El 970 EVO Plus ofrece una resistencia excepcional gracias a la ltima tecnologa V-NAND y la calidad de Samsung.Fiabilidad incomparableAlcanza un nuevo nivel de confianza. El controlador avanzado recubierto de nquel de Samsung y el difusor trmico integrado en el 970 EVO Plus permiten una disipacin del calor superior. Dynamic Thermal Guard supervisa y mantiene automticamente las temperaturas de funcionamiento ptimas para minimizar las cadas de rendimiento.Samsung MagicianLa gestin avanzada de tu disco, simplificada. El software Samsung Magician te ayudar a mantener todo en orden. Un conjunto de herramientas fciles de usar te ayuda a mantener tu unidad actualizada, monitorear su estado y su velocidad de la unidad, e, incluso mejorar el rendimiento.

EspecificacionesAplicacinClient PCsInterfazPCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3Dimensiones80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)PesoMx 8.0 gLectura secuencialHasta 3,500 MB/s *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinEscritura secuencialHasta 3,300 MB/s * El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinCapacidad1,000GB (1GB=Mil millones de bytes segn IDEMA) * La capacidad real puede ser menor (debido a formateo, particin, sistema operativo, aplicaciones u otros)FormatoM.2 (2280)InterfazPCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3Dimensiones80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)PesoMx 8.0 gMemoria de almacenamientoSamsung V-NAND 3-bit MLCControllerSamsung Phoenix ControllerMemoria cachSamsung 1GB Low Power DDR4 SDRAMCaractersticas especialesSoporte TRIMCompatibleSoporte S.M.A.R.TCompatibleGC (Garbage Collection)Auto Garbage Collection AlgorithmEncriptacinAES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)Soporte Modo Suspensin en dispositivoSRendimientoLectura secuencialHasta 3,500 MB/s *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinEscritura secuencialHasta 3,300 MB/s * El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinLectura aleatoria (4KB, QD32)Hasta 600,000 IOPS * El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinEscritura aleatoria (4KB, QD32)Hasta 550,000 IOPS * El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinLectura aleatoria (4KB, QD1)Hasta 19,000 IOPS *El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinEscritura aleatoria (4KB, QD1)Hasta 60,000 IOPS * El rendimiento puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinEntornoConsumo energtico medio*Media: 6 W * Mximo: 9 W (Burst mode) * El consumo de energa real puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinConsumo energtico (Idle)Max. 30 mW * El consumo de energa real puede variar en funcin del hardware del sistema y la configuracinVoltaje soportado3.3 V 5 % Voltaje admisibleDurabilidad (MTBF)Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF)Temperatura0 - 70 ℃ Temperatura de funcionamientoGolpes1,500 G & 0.5 ms (Half sine)