PM9A3 NVMe U.2 960GBSSD empresarial para empresasSSD NVMe U.2 de alto rendimiento, altamente confiable y segura, diseada para servidores que necesitan una mayor confiabilidad de los datos para salvaguardar los datos crticos.Mejorado para mayor velocidad y confiabilidadEl PM9A3 es la solucin para lograr una alta capacidad de respuesta en centros de datos que requieren un rendimiento acelerado. Disponible en capacidades de 960 GB, 1,92 TB, 3,84 TB. PM9A3 permite que su empresa sobresalga en el manejo de big data.Rendimiento fluido y de alta potenciaObtenga resultados rpidos con la interfaz NVMe de prxima generacin. Velocidades de lectura/escritura secuenciales de hasta 6900/4100 MB/s, velocidades de lectura/escritura aleatorias de hasta 1100K/200K IOPS y un excelente nivel de QoS (calidad de servicio) permiten anlisis de big data en tiempo realProteger datos crticosLa integridad de los datos es fundamental para los SSD del centro de datos. El PM9A3 NVMe U.2 est protegido con proteccin de datos de extremo a extremo para garantizar la coherencia en toda la ruta de transferencia de datos y evita la corrupcin de datos en caso de un corte de energa con proteccin contra prdida de energa.Eficiencia operativa mejoradaLogre mucho ms con menos. Logre mayor eficiencia y rendimiento en comparacin con los sistemas de almacenamiento heredados, con menos servidores, menor consumo de energa y refrigeracin y menor TCO, todo con una gestin eficiente del software avanzado Samsung SSD ToolkitFiabilidad y calidad de SamsungExperimente la calidad superior de SSD y la confiabilidad de la produccin interna utilizando componentes fabricados por Samsung. Permita que su negocio funcione las 24 horas del da, los 7 das de la semana, para que funcione ms rpido, ms eficientemente y a costos reducidos con confiabilidad de clase mundial con una garanta limitada de 5 aos o 1.0 DWPD EspecificacionesTipoInterfazPCIe 4.0 x4 NVMe 1.4SeriePM9A3SolicitudCentro de datosSAlmacenamientoCapacidad960GBCaractersticas claveVelocidad de lectura secuencialHasta 6.500 MB/sVelocidad de escritura secuencialHasta 1.500 MB/sVelocidad de lectura aleatoriaHasta 580.000 IOPSVelocidad de escritura aleatoriaHasta 70.000 IOPSControladorControlador Samsung ElpisFlash NANDSamsung V-NAND TLCMemoria cachSDRAM de bajo consumo SamsungSoporte de recorteSCifrado AESCifrado AES de 256 bitsSeguridadTCG/palo (Clase 0)Soporte INTELIGENTESGC (recoleccin de basura)Algoritmo de recoleccin automtica de basuraSoporte WWNCompatible con NGUIDAlmacenamiento internoSAlmacenamiento empresarialSProteccin contra prdida de energaS2,5 U.2SGeneralConsumo de energa (W)Activo (lectura/escritura): 9,5 W / 8,0 WInactivo: mx. 3,5 vatiosVoltaje12,0 V 10 % Voltaje permitidoFiabilidad (MTBF)Fiabilidad de 2,0 millones de horas (MTBF)Especificaciones ambientalesTemperatura de funcionamiento0 - 70 ℃ Temperatura de funcionamientoChoque1.500 G y 0,5 ms (medio seno)Factor de formaProductoU.2 2,5 pulgadas 7 mmTDimensiones (Ancho x Alto x Fondo)Producto100,2 x 69,85 x 6,8 (mm)PesoProductoMximo 90,0 gSoftwareSoftware de gestinKit de herramientas de CC para SSD Samsung